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刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，它是通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。瀚宸掌握離子束刻蝕（IBE）、深硅刻蝕（DRIE）、反應離子刻蝕（RIE）、聚焦離子束刻蝕（FIB）、電感耦合（ICP）等離子刻蝕等多種刻蝕方式。
| 刻蝕化藥 | ·堿性 1μm，套刻精度：±0.5μm：KOH，TMAH |
| ·酸性 ±0.5μm：HF，BOE，HCI，HNO3等 | |
| 刻蝕材料 | ·硅、氧化硅、氮化硅、金屬、石英等材料 |
| 刻蝕技術 | ·離子束刻蝕（IBE） 用于較難刻蝕的金屬或其他物質 |
| ·深硅刻蝕（DRIE） 刻蝕均勻性<±5%，選擇比＞50:1 | |
| ·反應離子刻蝕（RIE） 刻蝕Si，SiO?，SiNx等 | |
| ·聚焦離子束刻蝕（FIB） 可對材料和器件進行刻蝕、沉積、摻雜等微納加工 | |
| ·電感耦合（ICP）等離子刻蝕 刻蝕GaN，GaAs，InP等材料 |